Teshik taxtasida apparat muhandislarining ko'plab loyihalari tugallangan, ammo elektr ta'minotining ijobiy va salbiy terminallarini tasodifan ulash hodisasi mavjud bo'lib, bu ko'plab elektron komponentlarning yonib ketishiga olib keladi va hatto butun plata vayron bo'ladi va bunga majbur bo'ladi. yana payvandlangan bo'lishi, men uni hal qilish uchun qanday yaxshi yo'l bilmayman?
Avvalo, beparvolik muqarrar, garchi u faqat ijobiy va salbiy ikkita simni, qizil va qora simlarni bir marta ulash mumkin bo'lsa-da, biz xato qilmaymiz; O'nta ulanish noto'g'ri bo'lmaydi, lekin 1000? 10 000-chi? Ayni paytda aytish qiyin, bizning ehtiyotsizligimiz tufayli ba'zi elektron komponentlar va chiplar yonib ketishiga olib keldi, asosiy sabab shundaki, oqim juda ko'p elchi komponentlar buzilgan, shuning uchun biz teskari ulanishning oldini olish uchun choralar ko'rishimiz kerak. .
Odatda qo'llaniladigan quyidagi usullar mavjud:
01 diodli seriyali turdagi teskari himoya qilish davri
Diodning to'g'ridan-to'g'ri o'tkazuvchanligi va teskari kesish xususiyatlaridan to'liq foydalanish uchun musbat quvvat kiritishiga oldinga diod ketma-ket ulanadi. Oddiy sharoitlarda ikkilamchi quvur o'tkazadi va elektron plata ishlaydi.
Elektr ta'minoti teskari bo'lganda, diod uzilib qoladi, quvvat manbai pastadir hosil qila olmaydi va elektron plata ishlamaydi, bu elektr ta'minoti muammosini samarali ravishda oldini oladi.
02 Rektifikator ko'prigi turi teskari himoya qilish davri
Quvvat kirishini qutbsiz kirishga o'zgartirish uchun rektifikator ko'prigidan foydalaning, quvvat manbai ulangan yoki teskari bo'ladimi, plata normal ishlaydi.
Agar silikon dioda taxminan 0,6 ~ 0,8 V bosim pasayishiga ega bo'lsa, germaniy dioda ham taxminan 0,2 ~ 0,4 V bosim pasayishiga ega, agar bosim tushishi juda katta bo'lsa, MOS trubkasi reaktsiyaga qarshi davolanish uchun ishlatilishi mumkin, MOS trubasining bosimining pasayishi juda kichik, bir necha milliohmgacha va bosimning pasayishi deyarli ahamiyatsiz.
03 MOS trubkasi teskari himoya qilish davri
MOS trubkasi jarayonning yaxshilanishi, o'ziga xos xususiyatlari va boshqa omillar tufayli uning o'tkazuvchanlik ichki qarshiligi kichik, ko'plari milliohm darajasida yoki undan ham kichikroq, shuning uchun kontaktlarning zanglashiga olib keladigan kuchlanish pasayishi, kontaktlarning zanglashiga olib keladigan quvvat yo'qotilishi ayniqsa kichik yoki hatto ahamiyatsiz. , shuning uchun kontaktlarning zanglashiga olib himoya qilish uchun MOS trubkasini tanlash tavsiya etilgan usuldir.
1) NMOS himoyasi
Quyida ko'rsatilgandek: Quvvatni yoqish vaqtida MOS trubasining parazit diyoti yoqiladi va tizim halqa hosil qiladi. S manbasining potentsiali taxminan 0,6V ni tashkil qiladi, G darvozasining potentsiali esa Vbat. MOS trubasining ochilish kuchlanishi nihoyatda: Ugs = Vbat-Vs, darvoza baland, NMOS ning ds yoqilgan, parazit diyot qisqa tutashgan va tizim NMOS ning ds kirishi orqali halqa hosil qiladi.
Agar elektr ta'minoti teskari bo'lsa, NMOS ning kuchlanishi 0 ga teng bo'ladi, NMOS uziladi, parazit diod teskari bo'ladi va kontaktlarning zanglashiga olib, shu bilan himoya hosil qiladi.
2) PMOS himoyasi
Quyida ko'rsatilgandek: Quvvatni yoqish vaqtida MOS trubasining parazit diyoti yoqiladi va tizim halqa hosil qiladi. Manba S ning potentsiali taxminan Vbat-0,6V ga teng, G darvozasining potentsiali esa 0. MOS trubasining ochilish kuchlanishi nihoyatda: Ugs = 0 – (Vbat-0,6), darvoza o'zini past darajadagi tutadi. , PMOS ning ds yoqilgan, parazit diyot qisqa tutashgan va tizim PMOS ning ds kirish orqali halqa hosil qiladi.
Elektr ta'minoti teskari bo'lsa, NMOS ning kuchlanishi 0 dan katta bo'ladi, PMOS uziladi, parazit diod teskari bo'ladi va kontaktlarning zanglashiga olib, shu bilan himoya hosil qiladi.
Eslatma: NMOS quvurlari ds ni manfiy elektrodga, PMOS trubkalari ds ni musbat elektrodga bog'laydi va parazit diod yo'nalishi to'g'ri ulangan oqim yo'nalishiga to'g'ri keladi.
MOS trubasining D va S qutblariga kirish: odatda N kanalli MOS trubkasidan foydalanilganda, oqim odatda D qutbdan kiradi va S qutbdan oqib chiqadi va PMOS S dan kiradi va D chiqadi. qutb, va bu sxemada qo'llanilganda teskari bo'ladi, MOS trubkasining kuchlanish holati parazit diyotning o'tkazuvchanligi orqali amalga oshiriladi.
G va S qutblari o'rtasida mos kuchlanish o'rnatilgan ekan, MOS trubkasi to'liq yoqiladi. O'tkazgandan so'ng, D va S o'rtasida kalit yopilganga o'xshaydi va oqim D dan S ga yoki S dan D ga bir xil qarshilikka ega.
Amaliy ilovalarda G qutbi odatda rezistor bilan bog'lanadi va MOS trubkasi buzilishining oldini olish uchun kuchlanish regulyatori diyotini ham qo'shish mumkin. Ajratuvchiga parallel ravishda ulangan kondansatör yumshoq ishga tushirish effektiga ega. Hozirgi vaqtda oqim oqimi boshlanadi, kondansatör zaryadlanadi va G qutbning kuchlanishi asta-sekin o'rnatiladi.
PMOS uchun, NOMS bilan solishtirganda, Vgs chegara kuchlanishidan kattaroq bo'lishi kerak. Ochilish kuchlanishi 0 bo'lishi mumkinligi sababli, DS o'rtasidagi bosim farqi katta emas, bu NMOSdan ko'ra foydaliroqdir.
04 Sug'urta himoyasi
Elektr ta'minoti qismini sug'urta bilan ochgandan so'ng ko'plab keng tarqalgan elektron mahsulotlarni ko'rish mumkin, quvvat manbai teskari, katta oqim tufayli kontaktlarning zanglashiga olib keladigan qisqa tutashuv mavjud va keyin sug'urta yonib, himoya qilishda rol o'ynaydi. kontaktlarning zanglashiga olib keladi, ammo bu tarzda ta'mirlash va almashtirish yanada qiyinroq.
Yuborilgan vaqt: 2023 yil 08-iyul
