Teshik taxtasida apparat muhandislarining ko'plab loyihalari tugallangan, ammo elektr ta'minotining ijobiy va salbiy terminallarini tasodifan ulash hodisasi mavjud, bu ko'plab elektron komponentlarning yonishiga olib keladi va hatto butun taxta vayron bo'ladi va uni yana payvand qilish kerak, men buni hal qilishning qanday yaxshi usulini bilmaymanmi?
Avvalo, beparvolik muqarrar, garchi u faqat ijobiy va salbiy ikkita simni, qizil va qora simlarni bir marta ulash mumkin bo'lsa-da, biz xato qilmaymiz; O'nta ulanish noto'g'ri bo'lmaydi, lekin 1000? 10 000-chi? Ayni paytda aytish qiyin, bizning e'tiborsizligimiz tufayli ba'zi elektron komponentlar va chiplar yonib ketgan, asosiy sabab shundaki, oqim juda ko'p elchi komponentlar buzilgan, shuning uchun biz teskari ulanishning oldini olish uchun choralar ko'rishimiz kerak.
Odatda qo'llaniladigan quyidagi usullar mavjud:
01 diodli seriyali turdagi teskari himoya qilish davri
Diodning to'g'ridan-to'g'ri o'tkazuvchanligi va teskari kesish xususiyatlaridan to'liq foydalanish uchun musbat quvvat kiritishiga oldinga diod ketma-ket ulanadi. Oddiy sharoitlarda ikkilamchi quvur o'tkazadi va elektron plata ishlaydi.
Elektr ta'minoti teskari bo'lganda, diod uzilib qoladi, quvvat manbai pastadir hosil qila olmaydi va elektron plata ishlamaydi, bu elektr ta'minoti muammosini samarali ravishda oldini oladi.
02 Rektifikator ko'prigi turi teskari himoya qilish davri
Quvvat kirishini qutbsiz kirishga o'zgartirish uchun rektifikator ko'prigidan foydalaning, quvvat manbai ulangan yoki teskari bo'ladimi, plata normal ishlaydi.
Agar silikon diodda taxminan 0,6 ~ 0,8 V bosim tushishi bo'lsa, germaniy diodasi ham taxminan 0,2 ~ 0,4 V bosim pasayishiga ega, agar bosim tushishi juda katta bo'lsa, MOS trubkasi reaktsiyaga qarshi ishlov berish uchun ishlatilishi mumkin, MOS trubasining bosim tushishi juda kichik, bir necha milliohmgacha va bosimning pasayishi deyarli.
03 MOS trubkasi teskari himoya qilish davri
Jarayonni takomillashtirish, o'z xususiyatlari va boshqa omillar tufayli MOS trubkasi, uning o'tkazuvchanlik ichki qarshiligi kichik, ko'plari milliohm darajasida yoki undan ham kichikroq, shuning uchun kontaktlarning zanglashiga olib keladigan kuchlanish pasayishi, kontaktlarning zanglashiga olib keladigan quvvat yo'qotilishi ayniqsa kichik yoki hatto ahamiyatsiz, shuning uchun kontaktlarning zanglashiga olib keladigan himoya qilish uchun MOS trubkasini tanlash ko'proq tavsiya etilgan usuldir.
1) NMOS himoyasi
Quyida ko'rsatilgandek: Quvvatni yoqish vaqtida MOS trubasining parazit diyoti yoqiladi va tizim halqa hosil qiladi. S manbasining potentsiali taxminan 0,6V ni tashkil qiladi, G darvozasining potentsiali esa Vbat. MOS trubasining ochilish kuchlanishi nihoyatda: Ugs = Vbat-Vs, darvoza baland, NMOS ning ds yoqilgan, parazit diyot qisqa tutashgan va tizim NMOS ning ds kirishi orqali halqa hosil qiladi.
Agar elektr ta'minoti teskari bo'lsa, NMOS ning kuchlanishi 0 ga teng bo'ladi, NMOS uziladi, parazit diod teskari bo'ladi va kontaktlarning zanglashiga olib, shu bilan himoya hosil qiladi.
2) PMOS himoyasi
Quyida ko'rsatilgandek: Quvvatni yoqish vaqtida MOS trubasining parazit diyoti yoqiladi va tizim halqa hosil qiladi. Manba S ning potentsiali taxminan Vbat-0,6V ga teng, G darvozasining potentsiali esa 0 ga teng. MOS trubasining ochilish kuchlanishi nihoyatda: Ugs = 0 – (Vbat-0,6), shlyuz o'zini past darajada tutadi, PMOS ning ds yoqilgan, parazit diyot qisqa tutashuvga ega va tizim orqali kirish PMOS ni tashkil qiladi.
Elektr ta'minoti teskari bo'lsa, NMOS ning kuchlanishi 0 dan katta bo'ladi, PMOS uziladi, parazit diod teskari bo'ladi va kontaktlarning zanglashiga olib, shu bilan himoya hosil qiladi.
Eslatma: NMOS quvurlari ds ni manfiy elektrodga, PMOS trubkalari ds ni musbat elektrodga bog'laydi va parazit diod yo'nalishi to'g'ri ulangan oqim yo'nalishiga to'g'ri keladi.
MOS trubasining D va S qutblarining kirishi: odatda N kanalli MOS trubkasidan foydalanilganda, oqim odatda D qutbdan kiradi va S qutbdan oqib chiqadi va PMOS S qutbga kiradi va D chiqadi va bu sxemada qo'llanilganda buning aksi bo'ladi, MOS trubasining kuchlanish holati parazitik o'tkazuvchanlik orqali amalga oshiriladi.
G va S qutblari o'rtasida mos kuchlanish o'rnatilgan ekan, MOS trubkasi to'liq yoqiladi. O'tkazgandan so'ng, D va S o'rtasida kalit yopilganga o'xshaydi va oqim D dan S ga yoki S dan D ga bir xil qarshilikka ega.
Amaliy ilovalarda G qutbi odatda rezistor bilan bog'lanadi va MOS trubkasi buzilishining oldini olish uchun kuchlanish regulyatori diyotini ham qo'shish mumkin. Ajratuvchiga parallel ravishda ulangan kondansatör yumshoq ishga tushirish effektiga ega. Hozirgi vaqtda oqim oqimi boshlanadi, kondansatör zaryadlanadi va G qutbning kuchlanishi asta-sekin o'rnatiladi.
PMOS uchun, NOMS bilan solishtirganda, Vgs chegara kuchlanishidan kattaroq bo'lishi kerak. Ochilish kuchlanishi 0 bo'lishi mumkinligi sababli, DS o'rtasidagi bosim farqi katta emas, bu NMOSdan ko'ra foydaliroqdir.
04 Sug'urta himoyasi
Elektr ta'minoti qismini sug'urta bilan ochgandan so'ng ko'plab keng tarqalgan elektron mahsulotlarni ko'rish mumkin, elektr ta'minotida teskari, katta oqim tufayli kontaktlarning zanglashiga olib keladigan qisqa tutashuv mavjud va keyin sug'urta yonib, kontaktlarning zanglashiga olib, kontaktlarning zanglashiga olib, himoya qilishda rol o'ynaydi, ammo bu tarzda ta'mirlash va almashtirish yanada muammoli.
Yuborilgan vaqt: 2023 yil 10-iyul
